ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… … Физическая энциклопедия
Dotierung mit Fremdatomen — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m … Radioelektronikos terminų žodynas
dopage d'impureté — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m … Radioelektronikos terminų žodynas
impurity doping — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m … Radioelektronikos terminų žodynas
priemaišinis legiravimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия